•) Изобретение относится к теплофизике и может быть использовано для измерения теплопропро-водности магнитных жидкостей.
Полиэтиленовую ячейку, наполненную исследуемым образцом (магнитной жидкостью) закрепляют на штативе. К тыльной стороне ячейки подключают спай термопары, концы которой подключены к микровольтнаноамперметру. С помощью лазерной установки на нее направляют лазерную вспышку и нагревают. При достижении пика нагрева по показанию микровольтнаноамперметра 50 мкВ лазерную установку отключают. В произвольной точке исследуемого образца для двух моментов времени до снижения показания микровольтнаноампертметра по секундомеру фиксируют его охлаждение и теплопроводность определяют по формуле
m
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ МАГНИТНЫХ ЖИДКОСТЕЙ МЕТОДОМ ЛАЗЕРНОЙ ВСПЫШКИ
(51) МПК: G01N 21/00
Сведения о документе ▾
- (11) Номер документа
- 316
- (13) Код типа документа
- PP
- (51) МПК
- G01N 21/00
- (45) Дата публикации
- 30.03.2010
- Статус
- Прекратил действие
Заявка ▾
- (21) Рег. номер заявки
- 0900357
- (22) Дата подачи заявки
- 25.09.2009
Лица ▾
- (71) Заявитель(и)
- Сафаров М.М. (TJ); Джураев Д.С. (TJ).
- (72) Автор(ы)
- Сафаров М.М. (TJ); Джураев Д.С. (TJ); Наж-мудинов Ш.З. (TJ); Ф. Наджмизода (TJ); Мухаме-диев Н.П. (TJ); Зарипова М.А. (TJ); Зоиров Х.А. (TJ); Тиллоева Т.Р. (TJ); Аминов Ш.А. (TJ).
- (73) Патентообладатель(и)
- Сафаров М.М. (TJ); Джураев Д.С. (TJ)
Реферат
Формула изобретения
Изобретение относится к теплофизике и может быть использовано для измерения теплопропроводности магнитных жидкостей.
В результате патентно-информационного поиска технических решений, аналогичных заявляемому способу не выявлено.
Способ поясняется фиг. 1, где изображена принципиальная схема устройства и фиг. 2 – диаграмма изменения температуры во времени.
Способ осуществляется при помощи устройства (фиг. 1), состоящего из лазерной установки ЛГН-109, микровольтнаноамперметра Ф-136, штатива, термопары, секундомера и полиэтиленовой ячейки с исследуемым образцом следующим образом.
Полиэтиленовую ячейку, наполненную исследуемым образцом (магнитной жидкостью) закрепляют на штативе. К тыльной стороне ячейки подключают спай термопары, концы которой подключены к микровольтнаноамперметру. С помощью лазерной установки на нее направляют лазерную вспышку и нагревают. При достижении пика нагрева по показанию микровольтнаноамперметра 50 мкВ лазерную установку отключают. В произвольной точке исследуемого образца для двух моментов времени до снижения показания микровольтнаноампертметра по секундомеру фиксируют его охлаждение и теплопроводность определяют по формуле
λ=А•Ср•m,
где, А – коэффициент формы; Ср – теплоемкость испытуемого образца; m – темп регулярного охлаждения, определяемый по формуле
,
где, θ1 и θ2 – разность температур между теплообменивающимися поверхностями в начале – τ1 и в конце – τ2 отсчета; N1 и N2 – та же разность температур, выраженная числом делений шкалы микровольтнаноамперметра.
В результате патентно-информационного поиска технических решений, аналогичных заявляемому способу не выявлено.
Способ поясняется фиг. 1, где изображена принципиальная схема устройства и фиг. 2 – диаграмма изменения температуры во времени.
Способ осуществляется при помощи устройства (фиг. 1), состоящего из лазерной установки ЛГН-109, микровольтнаноамперметра Ф-136, штатива, термопары, секундомера и полиэтиленовой ячейки с исследуемым образцом следующим образом.
Полиэтиленовую ячейку, наполненную исследуемым образцом (магнитной жидкостью) закрепляют на штативе. К тыльной стороне ячейки подключают спай термопары, концы которой подключены к микровольтнаноамперметру. С помощью лазерной установки на нее направляют лазерную вспышку и нагревают. При достижении пика нагрева по показанию микровольтнаноамперметра 50 мкВ лазерную установку отключают. В произвольной точке исследуемого образца для двух моментов времени до снижения показания микровольтнаноампертметра по секундомеру фиксируют его охлаждение и теплопроводность определяют по формуле
λ=А•Ср•m,
где, А – коэффициент формы; Ср – теплоемкость испытуемого образца; m – темп регулярного охлаждения, определяемый по формуле
,
где, θ1 и θ2 – разность температур между теплообменивающимися поверхностями в начале – τ1 и в конце – τ2 отсчета; N1 и N2 – та же разность температур, выраженная числом делений шкалы микровольтнаноамперметра.
Описание
Изобретение относится к теплофизике и может быть использовано для измерения теплопропроводности магнитных жидкостей.
В результате патентно-информационного поиска технических решений, аналогичных заявляемому способу не выявлено.
Способ поясняется фиг. 1, где изображена принципиальная схема устройства и фиг. 2 – диаграмма изменения температуры во времени.
Способ осуществляется при помощи устройства (фиг. 1), состоящего из лазерной установки ЛГН-109, микровольтнаноамперметра Ф-136, штатива, термопары, секундомера и полиэтиленовой ячейки с исследуемым образцом следующим образом.
Полиэтиленовую ячейку, наполненную исследуемым образцом (магнитной жидкостью) закрепляют на штативе. К тыльной стороне ячейки подключают спай термопары, концы которой подключены к микровольтнаноамперметру. С помощью лазерной установки на нее направляют лазерную вспышку и нагревают. При достижении пика нагрева по показанию микровольтнаноамперметра 50 мкВ лазерную установку отключают. В произвольной точке исследуемого образца для двух моментов времени до снижения показания микровольтнаноампертметра по секундомеру фиксируют его охлаждение и теплопроводность определяют по формуле
λ=А•Ср•m,
где, А – коэффициент формы; Ср – теплоемкость испытуемого образца; m – темп регулярного охлаждения, определяемый по формуле
,
где, θ1 и θ2 – разность температур между теплообменивающимися поверхностями в начале – τ1 и в конце – τ2 отсчета; N1 и N2 – та же разность температур, выраженная числом делений шкалы микровольтнаноамперметра.
В результате патентно-информационного поиска технических решений, аналогичных заявляемому способу не выявлено.
Способ поясняется фиг. 1, где изображена принципиальная схема устройства и фиг. 2 – диаграмма изменения температуры во времени.
Способ осуществляется при помощи устройства (фиг. 1), состоящего из лазерной установки ЛГН-109, микровольтнаноамперметра Ф-136, штатива, термопары, секундомера и полиэтиленовой ячейки с исследуемым образцом следующим образом.
Полиэтиленовую ячейку, наполненную исследуемым образцом (магнитной жидкостью) закрепляют на штативе. К тыльной стороне ячейки подключают спай термопары, концы которой подключены к микровольтнаноамперметру. С помощью лазерной установки на нее направляют лазерную вспышку и нагревают. При достижении пика нагрева по показанию микровольтнаноамперметра 50 мкВ лазерную установку отключают. В произвольной точке исследуемого образца для двух моментов времени до снижения показания микровольтнаноампертметра по секундомеру фиксируют его охлаждение и теплопроводность определяют по формуле
λ=А•Ср•m,
где, А – коэффициент формы; Ср – теплоемкость испытуемого образца; m – темп регулярного охлаждения, определяемый по формуле
,
где, θ1 и θ2 – разность температур между теплообменивающимися поверхностями в начале – τ1 и в конце – τ2 отсчета; N1 и N2 – та же разность температур, выраженная числом делений шкалы микровольтнаноамперметра.
📎 Прикреплённые файлы
-
М.пат. 316.doc.pdf⬇ Скачать