Изобретение относится к физике, в частности, к технологии электронной промышленности для повышения сельскохозяйственной продукции по агростандартным экономическим мерам.
Датчик температуры, которые созданы на основе сложных и высокочувствительных полупроводниковых соединений CdTl2Se4 даёт возможность измерять точность температуры почвы, повышать урожайность, своевременно проводить массовый посев, равномерного роста и повышает их урожайность на первом этапе на 10-15%. При использовании данного прибора можно определять температуру почвы и время урожая по стандартно-агрономическим посевом семян.
ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ПОЧВЫ ПЕРЕД ПОСЕВОМ СЕМЯН СЕЛЬХОЗКУЛЬТУРЫ.
(51) МПК: G01K 7/00
Сведения о документе ▾
- (11) Номер документа
- 623
- (13) Код типа документа
- PP
- (51) МПК
- G01K 7/00
- (45) Дата публикации
- 30.03.2014
- Статус
- Прекратил действие
Заявка ▾
- (21) Рег. номер заявки
- 1300831
- (22) Дата подачи заявки
- 30.12.2013
Лица ▾
- (71) Заявитель(и)
- Каримов С.К. (TJ).
- (72) Автор(ы)
- Каримов С.К.. (TJ); Гаффоров С.Г.(TJ); Баротов Н.И. (TJ); Шарипов А.П.(TJ).
- (73) Патентообладатель(и)
- Каримов С.К. (TJ).
Реферат
Формула изобретения
Датчик температуры для измерения температуры почвы перед посевом семян сельхозкультуры, содержащий медную головку, активный элемент, крышку, термопара, потенциометр, отличающийся тем, что в качестве активного элемента использован высокочувствительный элемент на основе сложных полупроводниковых соединений CdTl2Se4.
Описание
Изобретение относится к физике, в частности к технологии электронной промышленности для повышения сельскохозяйственной продукции по агростандартным экономическим мерам.
Изобретение создано на основе сложных полупроводниковых соединений как активный элемент, который имеет высокую чувствительность и большую пользу для создания приборов - термодатчиков для измерения температуры почвы перед посевом семян. Данное изобретение на основе измерения температуры почвы земли, перед посевом семян дает возможность повышать урожайность продукции в сельскохозяйственной промышленности. При использовании данного прибора можно определять температуру почвы и время урожая по стандартно-агрономическим посевом семян.
Наиболее близким по техническим решениям, предлагаемым изобретением, является дат-чик температуры на основе бинарных полупроводниковых соединений [1]. Датчик температуры состоит из: медной головки, активного эле-мента, крышки, термопара, потенциометра. Недостатками данного прибора, является то, что он создан на основе бинарных полупроводниковых соединений Tl2Se3, которые имеют не очень высокую чувствительность и этот недостаток не даёт точно измерять температуру почвы перед посевом. В связи с этим, сельскохозяйственная урожайность не дает нужных результатов.
Целью изобретения является разработка датчика температуры на основе более чувствительных активных элементов.
Цель достигается в создании датчика температуры на основе сложных полупроводниковых соединений CdTl2Se4.
Настоящий прибор, который создан на основе сложных и высокочувствительных полу-проводниковых соединений CdTl2Se4 даёт возможность измерять точность температуры почвы, повышать урожайность, своевременно про-водить массовый посев для равномерного роста и повышает их урожайность на первом этапе на 10-15%.
Разработанный датчик температуры состоит из: медной головки (1) высокочувствительного активного элемента на основе сложных полу-проводниковых соединений CdTl2Se4 (2), крышки (3), термопара (4), потенциометр (5).
Принцип работы настоящего прибора со-стоит в следующем:
Разность потенциалов от земли входит в медную головку (1), которая соединена на высокочувствительном активном элементе (2) и этот элемент с помощью термопара (4) передает разность потенциалов на потенциометр (5). На основе измерения разности потенциалов вспаханной земли перед посевом определяют температуру земли.
Схематическое изображение температурно-го датчика, который создан на основе сложных высокоэффективных полупроводниковых соединений для измерения температуры почвы перед посевом семян сельхозкультур приведена на Фиг.1., и принципиальная схема активного эле-мента на основе сложных полупроводниковых соединений CdTl2Se4 на Фиг.2. Он состоит из: фильтр (1), высокочувствительный элемент из CdTl2Se4 (2), электроды (3), подставка (4).
Преимущество настоящего изобретения со-стоит в том, что этот прибор создан на основе сложных высокоэффективных и высокочувствительных полупроводниковых соединений. При помощи данного изобретения можно без смывания измерять температуру почвы перед посевом семян.
Изобретение создано на основе сложных полупроводниковых соединений как активный элемент, который имеет высокую чувствительность и большую пользу для создания приборов - термодатчиков для измерения температуры почвы перед посевом семян. Данное изобретение на основе измерения температуры почвы земли, перед посевом семян дает возможность повышать урожайность продукции в сельскохозяйственной промышленности. При использовании данного прибора можно определять температуру почвы и время урожая по стандартно-агрономическим посевом семян.
Наиболее близким по техническим решениям, предлагаемым изобретением, является дат-чик температуры на основе бинарных полупроводниковых соединений [1]. Датчик температуры состоит из: медной головки, активного эле-мента, крышки, термопара, потенциометра. Недостатками данного прибора, является то, что он создан на основе бинарных полупроводниковых соединений Tl2Se3, которые имеют не очень высокую чувствительность и этот недостаток не даёт точно измерять температуру почвы перед посевом. В связи с этим, сельскохозяйственная урожайность не дает нужных результатов.
Целью изобретения является разработка датчика температуры на основе более чувствительных активных элементов.
Цель достигается в создании датчика температуры на основе сложных полупроводниковых соединений CdTl2Se4.
Настоящий прибор, который создан на основе сложных и высокочувствительных полу-проводниковых соединений CdTl2Se4 даёт возможность измерять точность температуры почвы, повышать урожайность, своевременно про-водить массовый посев для равномерного роста и повышает их урожайность на первом этапе на 10-15%.
Разработанный датчик температуры состоит из: медной головки (1) высокочувствительного активного элемента на основе сложных полу-проводниковых соединений CdTl2Se4 (2), крышки (3), термопара (4), потенциометр (5).
Принцип работы настоящего прибора со-стоит в следующем:
Разность потенциалов от земли входит в медную головку (1), которая соединена на высокочувствительном активном элементе (2) и этот элемент с помощью термопара (4) передает разность потенциалов на потенциометр (5). На основе измерения разности потенциалов вспаханной земли перед посевом определяют температуру земли.
Схематическое изображение температурно-го датчика, который создан на основе сложных высокоэффективных полупроводниковых соединений для измерения температуры почвы перед посевом семян сельхозкультур приведена на Фиг.1., и принципиальная схема активного эле-мента на основе сложных полупроводниковых соединений CdTl2Se4 на Фиг.2. Он состоит из: фильтр (1), высокочувствительный элемент из CdTl2Se4 (2), электроды (3), подставка (4).
Преимущество настоящего изобретения со-стоит в том, что этот прибор создан на основе сложных высокоэффективных и высокочувствительных полупроводниковых соединений. При помощи данного изобретения можно без смывания измерять температуру почвы перед посевом семян.
(56) Документы, цитированные в отчёте
1. Каримов С.К. «Физика и химия тройных и более сложных алмазоподобных полупроводниковых халькогенидов таллия». Душанбе «Дониш»,1999 г.